燒結(jié)爐是一個通過用高溫加熱把物體或物質(zhì)的形狀縮小的設(shè)備。它可以將物體中的空隙減少，晶界逐漸聚攏，固體顆粒逐漸連接，從而實(shí)現(xiàn)密度增加，物體減小的多晶燒結(jié)體的設(shè)備。在1800度高溫?zé)Y(jié)爐開始燒結(jié)之前要先確認(rèn)每個加熱燈管是否可以正常運(yùn)行。檢查各個溫區(qū)的燈管輸出的功率是否高于其他溫區(qū)燈管的平均值，來保證燒結(jié)的平均性。

很多人都比較關(guān)注運(yùn)行實(shí)際的峰值溫度。燒結(jié)爐一個溫度范圍，太高的話算為過燒，過低的話算是欠燒。這兩種情況都不是燒結(jié)效果。把握好溫度的控制是找到燒結(jié)溫度范圍的關(guān)鍵點(diǎn)。如何判斷是欠燒還是過燒？請參考燒結(jié)爐上的電性能參數(shù)，可以通過它來判斷。當(dāng)無法判斷燒結(jié)的狀態(tài)時可以調(diào)節(jié)8區(qū)的溫度，找到大概的調(diào)節(jié)點(diǎn)，然后緩慢進(jìn)行微調(diào)。微調(diào)的時候我們可以通過背場的狀態(tài)來判斷，如果背場微微鼓起，那么就是出于過燒，所以應(yīng)微調(diào)降低溫度。 

欠燒時，穿透氮化硅的銀漿留有殘余，那么進(jìn)入N型層的銀漿也比較少，歐姆接觸效果不好，會造成串聯(lián)的電阻較大。過燒時，銀的消耗量會較平時多一些，而且會形成有銀硅形成的混合層，這個混合層會起到阻礙的作用，同樣也會形成串聯(lián)的電阻過大。所以單單通過電阻不能推斷是欠燒還是過燒狀態(tài)。